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FDB6670AS Image
画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

FDB6670AS

Mfr# FDB6670AS
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
仕様書 FDB6670AS.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
より詳しい情報 AMI Semiconductor / ON Semiconductor FDB6670ASについて
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説明

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部品型番 FDB6670AS
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 4058 pcs
仕様書 FDB6670AS.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263AB
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8.5 mOhm @ 31A, 10V
電力消費（最大） 62.5W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1570pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 39nC @ 15V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
詳細な説明 N-Channel 30V 62A (Ta) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-263AB
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 62A (Ta)

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