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FDU6030BL Image
画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

FDU6030BL

Mfr# FDU6030BL
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
仕様書 FDU6030BL.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
より詳しい情報 AMI Semiconductor / ON Semiconductor FDU6030BLについて
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説明

FDU6030BLを供給することができ、Request Quoteフォームを使用してFDU6030BL PIRCEとリードタイムを要求します。Instockinはプロの電子部品の販売代理店です。7千万回の日程で利用可能な電子部品が短いリードタイムで出荷することができます。必要、空室状況、および倉庫の場所。今日の弊社の営業担当者は、部品番号FDU6030BLに関する価格と配達を提供します。

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部品型番 FDU6030BL
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 3966 pcs
仕様書 FDU6030BL.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ IPAK (TO-251)
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 16 mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大） 3.8W (Ta), 50W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1143pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 31nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
詳細な説明 N-Channel 30V 10A (Ta), 42A (Tc) 3.8W (Ta), 50W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Ta), 42A (Tc)

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