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STD5406NT4G Image
画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

STD5406NT4G

Mfr# STD5406NT4G
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAK
仕様書 STD5406NT4G.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
より詳しい情報 AMI Semiconductor / ON Semiconductor STD5406NT4Gについて
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説明

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部品型番 STD5406NT4G
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAK
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 38030 pcs
仕様書 STD5406NT4G.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 10 mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大） 3W (Ta), 100W (Tc)
パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前 STD5406NT4G-VF01OSCT
STD5406NT4G-VF01OSCT-ND
STD5406NT4GOSCT
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2500pF @ 32V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 45nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40V
詳細な説明 N-Channel 40V 12.2A (Ta), 70A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12.2A (Ta), 70A (Tc)

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