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画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

SI8281CC-IS

Mfr# SI8281CC-IS
Mfr. Energy Micro (Silicon Labs)
説明 DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
仕様書 SI8281CC-IS.pdf
RoHS ステータス
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説明

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部品型番 SI8281CC-IS
メーカー Energy Micro (Silicon Labs)
説明 DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
フリーステータス/ RoHS状態
在庫あり 11230 pcs
仕様書 SI8281CC-IS.pdf
電源電圧 - 2.8 V ~ 5.5 V
電圧 - 絶縁 5000Vrms
電圧 - フォワード（Vf）（標準） -
技術 Capacitive Coupling
サプライヤデバイスパッケージ 20-SOIC
シリーズ Automotive, AEC-Q100
立上り/立下り時間（Typ） 5.5ns, 8.5ns
パルス幅歪み（最大） 5ns
伝播遅延tpLH / tpHL（最大） 50ns, 50ns
パッケージング -
パッケージ/ケース 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
他の名前 336-5063
運転温度 -40°C ~ 125°C
チャネル数 1
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 3 (168 Hours)
詳細な説明 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 20-SOIC
電流 - ピーク出力 4A
電流 - 出力高、低 2.5A, 3A
コモンモード過渡耐性（最小） 35kV/µs
承認 CQC, CSA, UL, VDE

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