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IRF3205LPBF Image
画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

IRF3205LPBF

Mfr# IRF3205LPBF
Mfr. IR
説明 MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
仕様書 IRF3205LPBF.pdf
RoHS ステータス / RoHS対応
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説明

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部品型番 IRF3205LPBF
メーカー IR
説明 MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
フリーステータス/ RoHS状態 / RoHS対応
在庫あり 87979 pcs
仕様書 IRF3205LPBF.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-262
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8 mOhm @ 62A, 10V
電力消費（最大） 200W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
他の名前 *IRF3205LPBF
SP001564458
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3247pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 146nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 55V
詳細な説明 N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 110A (Tc)

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