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PMV65XP/MIR Image
画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

PMV65XP/MIR

Mfr# PMV65XP/MIR
Mfr. Nexperia
説明 MOSFET P-CH 20V SOT23
仕様書 PMV65XP/MIR.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
より詳しい情報 Nexperia PMV65XP/MIRについて
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説明

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部品型番 PMV65XP/MIR
メーカー Nexperia
説明 MOSFET P-CH 20V SOT23
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 5565 pcs
仕様書 PMV65XP/MIR.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 900mV @ 250µA
Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-236AB
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 74 mOhm @ 2.8A, 4.5V
電力消費(最大) 480mW (Ta), 4.17W (Tc)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前 934068504215
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 744pF @ 20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 7.7nC @ 4.5V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.8V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20V
詳細な説明 P-Channel 20V 2.8A (Ta) 480mW (Ta), 4.17W (Tc) Surface Mount TO-236AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.8A (Ta)

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