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STB30N65M5 Image
画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

STB30N65M5

Mfr# STB30N65M5
Mfr. STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
仕様書 STB30N65M5.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
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説明

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部品型番 STB30N65M5
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 14301 pcs
仕様書 STB30N65M5.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ MDmesh™ V
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 139 mOhm @ 11A, 10V
電力消費（最大） 140W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前 497-10563-2
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 42 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2880pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 64nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650V
詳細な説明 N-Channel 650V 22A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 22A (Tc)

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