まず  ページプロダクトセンターディスクリート半導体製品トランジスタ-fet、mosfet-シングルFDB8442-F085
FDB8442-F085 Image
画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

FDB8442-F085

Mfr# FDB8442-F085
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
仕様書 FDB8442-F085.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
より詳しい情報 AMI Semiconductor / ON Semiconductor FDB8442-F085について
すべての必須フィールドに連絡先情報を入力してください。 「RFQ」をクリックしてください、そして、我々はできるだけ早く電子メールであなたに連絡するか、我々に電子メールを送ってください：。

説明

FDB8442-F085を供給することができ、Request Quoteフォームを使用してFDB8442-F085 PIRCEとリードタイムを要求します。Instockinはプロの電子部品の販売代理店です。7千万回の日程で利用可能な電子部品が短いリードタイムで出荷することができます。必要、空室状況、および倉庫の場所。今日の弊社の営業担当者は、部品番号FDB8442-F085に関する価格と配達を提供します。

引き合い

以下のフォームを使用して見積依頼を送信してください。
目標価格(USD)
数量
*モデル
*接触
*会社
*Eメール
*電話番号
メッセージ
部品型番 FDB8442-F085
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 24407 pcs
仕様書 FDB8442-F085.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263AB
シリーズ Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5 mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大） 254W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前 FDB8442-F085TR
FDB8442_F085
FDB8442_F085TR
FDB8442_F085TR-ND
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 12200pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 235nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40V
詳細な説明 N-Channel 40V 28A (Ta) 254W (Tc) Surface Mount TO-263AB
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 28A (Ta)

業界ニュース