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FDB8444 Image
画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

FDB8444

Mfr# FDB8444
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
仕様書 FDB8444.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
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説明

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部品型番 FDB8444
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 25853 pcs
仕様書 FDB8444.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263AB
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.5 mOhm @ 70A, 10V
電力消費（最大） 167W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前 FDB8444TR
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 6 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 8035pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 128nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40V
詳細な説明 N-Channel 40V 70A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount TO-263AB
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 70A (Tc)

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